Ohmic contacts to N-face p-GaN using Ni/Au for the fabrication of polarization inverted light-emitting diodes. | J Nanosci Nanotechnol;13(8): 5715-8, 2013 Aug. | MEDLINE

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Ohmic contacts to N-face p-GaN using Ni/Au for the fabrication of polarization inverted light-emitting diodes.

Han, Seung Cheol; Kim, Jae-Kwan; Kim, Jun Young; Lee, Dong Min; Yoon, Jae-Sik; Kim, Jong-Kyu; Schubert, E F; Lee, Ji-Myon.

Afiliação

Han SC; Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Sunchon National University, Sunchon, Jeonnam 540-742, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 13(8): 5715-8, 2013 Aug.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23882823

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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