Coaxial metal-oxide-semiconductor (MOS) Au/Ga2O3/GaN nanowires. | Nano Lett;8(10): 3288-92, 2008 Oct. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Coaxial metal-oxide-semiconductor (MOS) Au/Ga2O3/GaN nanowires.

Hsieh, Chin-Hua; Chang, Mu-Tung; Chien, Yu-Jen; Chou, Li-Jen; Chen, Lih-Juann; Chen, Chii-Dong.

Afiliación

Hsieh CH; Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, No. 101, Section 2 Kuang-Fu Road, Hsinchu, Taiwan 300, Republic of China.

Nano Lett ; 8(10): 3288-92, 2008 Oct.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-18778107

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2008 Tipo del documento: Article País de afiliación: China

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2008 Tipo del documento: Article País de afiliación: China