Phonon- and surface-roughness-limited mobility of gate-all-around 3C-SiC and Si nanowire FETs. | Nanotechnology;20(29): 295202, 2009 Jul 22. | MEDLINE

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Phonon- and surface-roughness-limited mobility of gate-all-around 3C-SiC and Si nanowire FETs.

Rogdakis, K; Poli, S; Bano, E; Zekentes, K; Pala, M G.

Afiliación

Rogdakis K; IMEP-LAHC/INP Grenoble, MINATEC, 3 parvis Louis Néel, BP 257, F-38016 Grenoble, France. rogdakik@minatec.inpg.fr

Nanotechnology ; 20(29): 295202, 2009 Jul 22.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19567960

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2009 Tipo del documento: Article País de afiliación: Francia

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