Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films. | J Phys Condens Matter;24(4): 045301, 2012 Feb 01. | MEDLINE

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Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films.

Zatsepin, A F; Buntov, E A; Kortov, V S; Tetelbaum, D I; Mikhaylov, A N; Belov, A I.

Afiliación

Zatsepin AF; Ural Federal University, Ekaterinburg, Russia. zats@dpt.ustu.ru

J Phys Condens Matter ; 24(4): 045301, 2012 Feb 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22214549

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Phys Condens Matter Asunto de la revista: BIOFISICA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Rusia

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