Self-assembled dual in-plane gate thin-film transistors gated by nanogranular SiO2 proton conductors for logic applications.
Nanoscale
; 5(5): 1980-5, 2013 Mar 07.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-23364424
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanoscale
Año:
2013
Tipo del documento:
Article