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Improvement of carrier diffusion length in silicon nanowire arrays using atomic layer deposition.
Kato, Shinya; Kurokawa, Yasuyoshi; Miyajima, Shinsuke; Watanabe, Yuya; Yamada, Akira; Ohta, Yoshimi; Niwa, Yusuke; Hirota, Masaki.
Afiliación
  • Kato S; Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan. kato.s.am@m.titech.ac.jp.
Nanoscale Res Lett ; 8(1): 361, 2013 Aug 23.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23968156
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón
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