Strain-engineered modulation on the electronic properties of phosphorous-doped ZnO. | Chemphyschem;14(17): 3916-24, 2013 Dec 02. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Strain-engineered modulation on the electronic properties of phosphorous-doped ZnO.

Lu, Ying-Bo; Dai, Ying; Wei, Wei; Zhu, Yingtao; Huang, Baibiao.

Afiliación

Lu YB; School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan,250100 (China); School of Space Science and Physics, Shandong University, Weihai, 264209, (China).

Chemphyschem ; 14(17): 3916-24, 2013 Dec 02.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24288285

Palabras clave

ZnO; density functional theory; electronic properties; phosphorous; strain

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Chemphyschem Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2013 Tipo del documento: Article

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Chemphyschem Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2013 Tipo del documento: Article