Improvement of Electrical Characteristics and Stability of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Nitrocellulose Passivation Layer.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(15): 13278-13285, 2017 Apr 19.
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| ID: mdl-28299924
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2017
Tipo del documento:
Article