AlN Surface Passivation of GaN-Based High Electron Mobility Transistors by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 315, 2017 Dec.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-28454481
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanoscale Res Lett
Año:
2017
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Taiwán