Analysis of the hump phenomenon and needle defect states formed by driving stress in the oxide semiconductor.
Sci Rep
; 9(1): 11977, 2019 Aug 19.
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| ID: mdl-31427668
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Sci Rep
Año:
2019
Tipo del documento:
Article