An ab initio approach on the asymmetric stacking of GaAs ã111ã nanowires grown by a vapor-solid method. | Nanoscale;12(34): 17703-17714, 2020 Sep 14. | MEDLINE

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An ab initio approach on the asymmetric stacking of GaAs ã111ã nanowires grown by a vapor-solid method.

Yeu, In Won; Han, Gyuseung; Hwang, Cheol Seong; Choi, Jung-Hae.

Afiliación

Yeu IW; Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Korea. choijh@kist.re.kr.

Nanoscale ; 12(34): 17703-17714, 2020 Sep 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32608427

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2020 Tipo del documento: Article

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