Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters.
Nanotechnology
; 32(5): 055702, 2021 Jan 29.
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| ID: mdl-33007768
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Año:
2021
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Japón