Engineering a Robust Flat Band in III-V Semiconductor Heterostructures.
Nano Lett
; 21(1): 680-685, 2021 Jan 13.
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| ID: mdl-33337891
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nano Lett
Año:
2021
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Francia