SiO2 precipitation in highly supersaturated oxygen-implanted single-crystal silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(16): 10174-10185, 1993 Apr 15.
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em En
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| ID: mdl-10005125
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1993
Tipo de documento:
Article
