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Epitaxial Fe3Si films on GaAs(100) substrates by means of electron beam evaporation.
Thomas, J; Schumann, J; Vinzelberg, H; Arushanov, E; Engelhard, R; Schmidt, O G; Gemming, T.
Afiliação
  • Thomas J; Institute for Complex Materials, IFW Dresden, Dresden, Germany.
Nanotechnology ; 20(23): 235604, 2009 Jun 10.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19451681
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha
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