Resonant addressing and manipulation of silicon vacancy qubits in silicon carbide. | Phys Rev Lett;109(22): 226402, 2012 Nov 30. | MEDLINE

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Resonant addressing and manipulation of silicon vacancy qubits in silicon carbide.

Riedel, D; Fuchs, F; Kraus, H; Väth, S; Sperlich, A; Dyakonov, V; Soltamova, A A; Baranov, P G; Ilyin, V A; Astakhov, G V.

Afiliação

Riedel D; Experimental Physics VI, Julius-Maximilian University of Würzburg, 97074 Würzburg, Germany.

Phys Rev Lett ; 109(22): 226402, 2012 Nov 30.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23368138

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha

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