One dimensional MOSFETs for sub-5 nm high-performance applications: a case of Sb<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> nanowires. | Phys Chem Chem Phys;25(3): 2056-2062, 2023 Jan 18. | MEDLINE

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One dimensional MOSFETs for sub-5 nm high-performance applications: a case of Sb₂Se₃ nanowires.

Tan, Xingyi; Li, Qiang; Ren, Dahua.

Afiliação

Tan X; Department of Physics, Chongqing Three Gorges University, Wanzhou, 404100, China. tanxy@sanxiau.edu.cn.
Li Q; College of Intelligent systems science and engineering, Hubei Minzu University, Enshi, 445000, China.
Ren D; College of Intelligent systems science and engineering, Hubei Minzu University, Enshi, 445000, China.

Phys Chem Chem Phys ; 25(3): 2056-2062, 2023 Jan 18.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-36546566

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article País de afiliação: China

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