Effect of pressure on defect-related emission in heavily silicon-doped GaAs.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(19): 14706-14709, 1994 Nov 15.
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em En
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| ID: mdl-9975715
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1994
Tipo de documento:
Article
