Dynamic chemical mapping near a Si/SiO2 interface at elevated temperatures using plasmon-loss images. | J Microsc;203(Pt 1): 12-6, 2001 Jul. | MEDLINE

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Dynamic chemical mapping near a Si/SiO2 interface at elevated temperatures using plasmon-loss images.

Sasaki, K; Tsukimoto, S; Konno, M; Kamino, T; Saka, H.

Afiliação

Sasaki K; Department of Quantum Engineering, Faculty of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan. khsasaki@hix.nagoya-u.ac.jp

J Microsc ; 203(Pt 1): 12-6, 2001 Jul.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-11454149

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Microsc Ano de publicação: 2001 Tipo de documento: Article

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