GaAs:Mn nanowires grown by molecular beam epitaxy of (Ga,Mn)as at MnAs segregation conditions.

Sadowski, Janusz; Dluzewski, Piotr; Kret, Slawomir; Janik, Elzbieta; Lusakowska, Elzbieta; Kanski, Janusz; Presz, Adam; Terki, Ferial; Charar, Salam; Tang, Dong

Sadowski, Janusz; Dluzewski, Piotr; Kret, Slawomir; Janik, Elzbieta; Lusakowska, Elzbieta; Kanski, Janusz; Presz, Adam; Terki, Ferial; Charar, Salam; Tang, Dong.

Afiliação

Sadowski J; Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France. janusz.sadowski@maxlab.lu.se

Nano Lett ; 7(9): 2724-8, 2007 Sep.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-17718585

Assuntos

Arsenicais/química; Cristalização/métodos; Gálio/química; Manganês/química; Nanoestruturas/química; Nanoestruturas/ultraestrutura; Nanotecnologia/métodos; Arsenicais/efeitos da radiação; Gálio/efeitos da radiação; Íons Pesados; Substâncias Macromoleculares/química; Manganês/efeitos da radiação; Teste de Materiais; Conformação Molecular; Nanoestruturas/efeitos da radiação; Tamanho da Partícula; Propriedades de Superfície

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Arsenicais / Cristalização / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Gálio / Manganês Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2007 Tipo de documento: Article

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