Size effect of nano scale phase change random access memory. | J Nanosci Nanotechnol;10(5): 3165-9, 2010 May. | MEDLINE

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Size effect of nano scale phase change random access memory.

Son, Ji Hoon; Choi, HongKyw; Jang, Nakwon; Kim, Hong Seung; Yi, Dong Young; Lee, Seong Hwan.

Afiliação

Son JH; Division of Electrical and Electronics Engineering, Korea Maritime University, Busan 606-791, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 10(5): 3165-9, 2010 May.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20358914

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Clinical_trials Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Clinical_trials Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article