Intrinsic topological insulator Bi2Te3 thin films on Si and their thickness limit.

Li, Yao-Yi; Wang, Guang; Zhu, Xie-Gang; Liu, Min-Hao; Ye, Cun; Chen, Xi; Wang, Ya-Yu; He, Ke; Wang, Li-Li; Ma, Xu-Cun; Zhang, Hai-Jun; Dai, Xi; Fang, Zhong; Xie, Xin-Cheng; Liu, Ying; Qi, Xiao-Liang; Jia, Jin-Feng; Zhang, Shou-Cheng; Xue, Qi-Kun

Li, Yao-Yi; Wang, Guang; Zhu, Xie-Gang; Liu, Min-Hao; Ye, Cun; Chen, Xi; Wang, Ya-Yu; He, Ke; Wang, Li-Li; Ma, Xu-Cun; Zhang, Hai-Jun; Dai, Xi; Fang, Zhong; Xie, Xin-Cheng; Liu, Ying; Qi, Xiao-Liang; Jia, Jin-Feng; Zhang, Shou-Cheng; Xue, Qi-Kun.

Afiliação

Li YY; Key Lab for Atomic, Molecular and Nanoscience, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing, P R China.

Adv Mater ; 22(36): 4002-7, 2010 Sep 22.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20648518

Assuntos

Bismuto/química; Silício/química; Telúrio/química; Modelos Moleculares; Conformação Molecular; Semicondutores; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício / Telúrio / Bismuto Idioma: En Revista: Adv Mater Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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