Quantitative annular dark-field STEM images of a silicon crystal using a large-angle convergent electron probe with a 300-kV cold field-emission gun.

Kim, Suhyun; Oshima, Yoshifumi; Sawada, Hidetaka; Kaneyama, Toshikatsu; Kondo, Yukihito; Takeguchi, Masaki; Nakayama, Yoshiko; Tanishiro, Yasumasa; Takayanagi, Kunio

Kim, Suhyun; Oshima, Yoshifumi; Sawada, Hidetaka; Kaneyama, Toshikatsu; Kondo, Yukihito; Takeguchi, Masaki; Nakayama, Yoshiko; Tanishiro, Yasumasa; Takayanagi, Kunio.

Afiliação

Kim S; Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1, 1-24 Oh-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, Japan. suhyun.k.aa@m.titech.ac.jp

J Electron Microsc (Tokyo) ; 60(2): 109-16, 2011.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21247969

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Electron Microsc (Tokyo) Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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