Electron tunneling through ultrathin boron nitride crystalline barriers.
Nano Lett
; 12(3): 1707-10, 2012 Mar 14.
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em En
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1
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01-internacional
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Assunto principal:
Semicondutores
/
Compostos de Boro
/
Nanoestruturas
Idioma:
En
Revista:
Nano Lett
Ano de publicação:
2012
Tipo de documento:
Article