Flexible multilevel resistive memory with controlled charge trap B- and N-doped carbon nanotubes. | Nano Lett;12(5): 2217-21, 2012 May 09. | MEDLINE

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Flexible multilevel resistive memory with controlled charge trap B- and N-doped carbon nanotubes.

Hwang, Sun Kak; Lee, Ju Min; Kim, Seungjun; Park, Ji Sun; Park, Hyung Il; Ahn, Chi Won; Lee, Keon Jae; Lee, Takhee; Kim, Sang Ouk.

Afiliação

Hwang SK; Department of Materials Science and Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, Republic of Korea.

Nano Lett ; 12(5): 2217-21, 2012 May 09.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22519417

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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