Forming mechanism of the bipolar resistance switching in double-layer memristive nanodevices. | Nanotechnology;23(31): 315202, 2012 Aug 10. | MEDLINE

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Forming mechanism of the bipolar resistance switching in double-layer memristive nanodevices.

Lee, S B; Yoo, H K; Kim, K; Lee, J S; Kim, Y S; Sinn, S; Lee, D; Kang, B S; Kahng, B; Noh, T W.

Afiliação

Lee SB; IBS-Research Center for Functional Interfaces, Seoul National University, Seoul 151-747, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 23(31): 315202, 2012 Aug 10.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22802159

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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