Electrical spin injection into InN semiconductor nanowires.

Heedt, S; Morgan, C; Weis, K; Bürgler, D E; Calarco, R; Hardtdegen, H; Grützmacher, D; Schäpers, Th

Heedt, S; Morgan, C; Weis, K; Bürgler, D E; Calarco, R; Hardtdegen, H; Grützmacher, D; Schäpers, Th.

Afiliação

Heedt S; Peter Grünberg Institut (PGI-9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich, Germany. s.heedt@fz-juelich.de

Nano Lett ; 12(9): 4437-43, 2012 Sep 12.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22889199

Assuntos

Cristalização/métodos; Galvanoplastia/métodos; Índio/química; Nanoestruturas/química; Nanoestruturas/ultraestrutura; Semicondutores; Substâncias Macromoleculares/química; Teste de Materiais; Conformação Molecular; Tamanho da Partícula; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Cristalização / Nanoestruturas / Galvanoplastia / Índio Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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