Reduction of gate leakage current on AlGaN/GaN high electron mobility transistors by electron-beam irradiation. | J Nanosci Nanotechnol;13(3): 1738-40, 2013 Mar. | MEDLINE

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Reduction of gate leakage current on AlGaN/GaN high electron mobility transistors by electron-beam irradiation.

Oh, S K; Song, C G; Jang, T; Kim, Kwang-Choong; Jo, Y J; Kwak, J S.

Afiliação

Oh SK; Department of Printed Electronics Engineering (WCU), Sunchon National University, Jeonnam 540-742, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 13(3): 1738-40, 2013 Mar.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23755582

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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