The memristive properties of a single VO2 nanowire with switching controlled by self-heating.

Bae, Sung-Hwan; Lee, Sangmin; Koo, Hyun; Lin, Long; Jo, Bong Hyun; Park, Chan; Wang, Zhong Lin

Bae, Sung-Hwan; Lee, Sangmin; Koo, Hyun; Lin, Long; Jo, Bong Hyun; Park, Chan; Wang, Zhong Lin.

Afiliação

Bae SH; Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Gwanak-gu, Seoul, 151-742, Korea.

Adv Mater ; 25(36): 5098-103, 2013 Sep 25.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23913309

Palavras-chave

memristor; metal-to-insulator transition; non-volatile memory device; resistive switching device; vanadium dioxide nanowire

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Adv Mater Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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