Vertically integrated (Ga, In)N nanostructures for future single photon emitters operating in the telecommunication wavelength range. | Nanotechnology;24(40): 405302, 2013 Oct 11. | MEDLINE

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Vertically integrated (Ga, In)N nanostructures for future single photon emitters operating in the telecommunication wavelength range.

Winden, A; Mikulics, M; Grützmacher, D; Hardtdegen, H.

Afiliação

Winden A; Peter Grünberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich, Germany. JARA-Fundamentals of Future Information Technology, D-52425 Jülich, Germany.

Nanotechnology ; 24(40): 405302, 2013 Oct 11.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24029688

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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