Formation of gallium vacancies and their effects on the nanostructure of Pd/Ir/Au ohmic contact to p-type GaN. | J Nanosci Nanotechnol;13(12): 8106-9, 2013 Dec. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

Biblioteca Virtual em Saúde - BRASIL

Informação e Conhecimento para a Saúde

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Formation of gallium vacancies and their effects on the nanostructure of Pd/Ir/Au ohmic contact to p-type GaN.

Kim, Kyong Nam; Kim, Tae Hyung; Seo, Jin Seok; Kim, Ki Seok; Bae, Jeong Woon; Yeom, Geun Young.

Afiliação

Kim KN; Department of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 13(12): 8106-9, 2013 Dec.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24266200

Buscar no Google

Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

Buscar no Google

Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article