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Comprehensive physical model of dynamic resistive switching in an oxide memristor.
Kim, Sungho; Choi, ShinHyun; Lu, Wei.
Afiliação
  • Kim S; Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan , Ann Arbor, Michigan 48109, United States.
ACS Nano ; 8(3): 2369-76, 2014 Mar 25.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24571386
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: ACS Nano Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article
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