Ferroelectricity in Si-doped HfO2 revealed: a binary lead-free ferroelectric.

Martin, Dominik; Müller, Johannes; Schenk, Tony; Arruda, Thomas M; Kumar, Amit; Strelcov, Evgheni; Yurchuk, Ekaterina; Müller, Stefan; Pohl, Darius; Schröder, Uwe; Kalinin, Sergei V; Mikolajick, Thomas

Martin, Dominik; Müller, Johannes; Schenk, Tony; Arruda, Thomas M; Kumar, Amit; Strelcov, Evgheni; Yurchuk, Ekaterina; Müller, Stefan; Pohl, Darius; Schröder, Uwe; Kalinin, Sergei V; Mikolajick, Thomas.

Afiliação

Martin D; Namlab gGmbH, Nöthnitzerstraße 64, 01187, Dresden, Germany.

Adv Mater ; 26(48): 8198-202, 2014 Dec 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25352107

Palavras-chave

HfO2; Si-doping; antiferroelectricity; electromechanical response mechanisms; ferroelectricity; piezoresponse force microscopy (PFM)

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