High efficiency ultraviolet GaN-based vertical light emitting diodes on 6-inch sapphire substrate using ex-situ sputtered AlN nucleation layer. | Opt Express;26(5): 5111-5117, 2018 Mar 05. | MEDLINE

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High efficiency ultraviolet GaN-based vertical light emitting diodes on 6-inch sapphire substrate using ex-situ sputtered AlN nucleation layer.

Oh, Jeong-Tak; Moon, Yong-Tae; Kang, Dae-Sung; Park, Chan-Keun; Han, Jae-Woong; Jung, Myung-Hoon; Sung, Youn-Joon; Jeong, Hwan-Hee; Song, June-O; Seong, Tae-Yeon.

Opt Express ; 26(5): 5111-5117, 2018 Mar 05.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29529718

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article

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