Accumulation-Mode Two-Dimensional Field-Effect Transistor: Operation Mechanism and Thickness Scaling Rule.

Fang, Nan; Nagashio, Kosuke

Fang, Nan; Nagashio, Kosuke.

Afiliação

Fang N; Department of Materials Engineering , The University of Tokyo , Tokyo 113-8656 , Japan.
Nagashio K; Department of Materials Engineering , The University of Tokyo , Tokyo 113-8656 , Japan.

ACS Appl Mater Interfaces ; 10(38): 32355-32364, 2018 Sep 26.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30146878

Palavras-chave

MoS2; accumulation-mode FET; depletion capacitance−quantum capacitance transition; thickness scaling rule; two-dimensional material

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article

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