Photo-induced selective etching of GaN nanowires in water. | Nanoscale;11(16): 7967-7975, 2019 Apr 23. | MEDLINE

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Photo-induced selective etching of GaN nanowires in water.

Kraut, Max; Pantle, Florian; Winnerl, Julia; Hetzl, Martin; Eckmann, Felix; Sharp, Ian D; Stutzmann, Martin.

Afiliação

Kraut M; Walter Schottky Institut and Physik-Department, Technische Universität München, Am Coulombwall 4, 85748 Garching, Germany. max.kraut@wsi.tum.de stutz@wsi.tum.de.

Nanoscale ; 11(16): 7967-7975, 2019 Apr 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30968077

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article

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