Ab initio electronic stopping power for protons in Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge triple-junction solar cells for space applications.

Koval, Natalia E; Da Pieve, Fabiana; Artacho, Emilio

Ab initio electronic stopping power for protons in Ga_0.5In_0.5P/GaAs/Ge triple-junction solar cells for space applications.

Koval, Natalia E; Da Pieve, Fabiana; Artacho, Emilio.

Afiliação

Koval NE; CIC Nanogune BRTA, 20018 Donostia-San Sebastián, Spain.
Da Pieve F; Royal Belgian Institute for Space Aeronomy BIRA-IASB, 1180 Brussels, Belgium.
Artacho E; CIC Nanogune BRTA, 20018 Donostia-San Sebastián, Spain.

R Soc Open Sci ; 7(11): 200925, 2020 Nov.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-33391793

Palavras-chave

electronic stopping power; interface; radiation damage; semiconductor; solar cells

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