Your browser doesn't support javascript.
loading
Dangling Bonds as Possible Contributors to Charge Noise in Silicon and Silicon-Germanium Quantum Dot Qubits.
Varley, Joel B; Ray, Keith G; Lordi, Vincenzo.
Afiliação
  • Varley JB; Materials Science Division, Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California 94550, United States.
  • Ray KG; Materials Science Division, Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California 94550, United States.
  • Lordi V; Materials Science Division, Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California 94550, United States.
ACS Appl Mater Interfaces ; 15(36): 43111-43123, 2023 Sep 13.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-37651689
Palavras-chave
Texto completo
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article
Texto completo
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article