Initial Optimization of the Growth Conditions of GaAs Homo-Epitaxial Layers after Cleaning and Restarting the Molecular Beam Epitaxy Reactor.
ACS Omega
; 8(36): 32998-33005, 2023 Sep 12.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-37720771
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Omega
Ano de publicação:
2023
Tipo de documento:
Article