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Strain-induced valence-subband splitting in III-V semiconductors.

Silver M; Batty W; Ghiti A; O'Reilly EP.

Phys Rev B Condens Matter ; 46(11): 6781-6788, 1992 Sep 15.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002380

Valence-band-shape modification due to band coupling in strained quantum wells.

Viña L; Muñoz L; Mestres N; Koteles ES; Ghiti A; O'Reilly EP; Bertolet DC; Lau KM.

Phys Rev B Condens Matter ; 47(20): 13926-13929, 1993 May 15.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10005727

Exciton-binding-energy maximum in Ga1-xInxAs/GaAs quantum wells.

Haines MJ; Ahmed N; Adams SJ; Mitchell K; Agool IR; Pidgeon CR; Cavenett BC; O'Reilly EP; Ghiti A; Emeny MT.

Phys Rev B Condens Matter ; 43(14): 11944-11949, 1991 May 15.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9996970

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