Detalhe da pesquisa
1.
Tailoring amorphous boron nitride for high-performance two-dimensional electronics.
Nat Commun
; 15(1): 4016, 2024 May 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38740890
2.
In situ axially doped n-channel silicon nanowire field-effect transistors.
Nano Lett
; 8(12): 4359-64, 2008 Dec.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-19367848
3.
Selective plating for junction delineation in silicon nanowires.
Nano Lett
; 7(9): 2642-4, 2007 Sep.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-17696558
4.
Silicidation of silicon nanowires by platinum.
Nano Lett
; 7(3): 818-24, 2007 Mar.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-17295545