Detalhe da pesquisa
1.
GaN/NbN epitaxial semiconductor/superconductor heterostructures.
Nature
; 555(7695): 183-189, 2018 03 07.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29516996
2.
The Unique EELS Signature of Point Defects in Cubic Boron Nitride on Diamond.
Microsc Microanal
; 29(Supplement_1): 1798, 2023 Jul 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37613976
3.
Atomic Layer Deposition as the Enabler for the Metastable Semiconductor InN and Its Alloys.
Cryst Growth Des
; 23(10): 7010-7025, 2023 Oct 04.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37808904
4.
Phase Identification and Ordered Vacancy Imaging in Epitaxial Metallic Ta2N Thin Films.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(10): 12575-12580, 2021 Mar 17.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33667063
5.
An all-epitaxial nitride heterostructure with concurrent quantum Hall effect and superconductivity.
Sci Adv
; 7(8)2021 Feb.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33608281
6.
Epitaxial bulk acoustic wave resonators as highly coherent multi-phonon sources for quantum acoustodynamics.
Nat Commun
; 11(1): 2314, 2020 May 08.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32385280
7.
Band Alignment of ScxAl1-xN/GaN Heterojunctions.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(46): 52192-52200, 2020 Nov 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33146516
8.
Controlling the Infrared Dielectric Function through Atomic-Scale Heterostructures.
ACS Nano
; 13(6): 6730-6741, 2019 Jun 25.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31184132
9.
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors.
J Vis Exp
; (117)2016 11 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27911417