Detalhe da pesquisa
1.
Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation.
Nat Mater
; 15(11): 1166-1171, 2016 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27571451
2.
Covalent Nitrogen Doping and Compressive Strain in MoS2 by Remote N2 Plasma Exposure.
Nano Lett
; 16(9): 5437-43, 2016 09 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27494551
3.
[Construction of prokaryotic expression vector, expression and purification of ginseng Cu/Zn superoxide dismutase].
Zhongguo Zhong Yao Za Zhi
; 38(23): 4052-5, 2013 Dec.
Artigo
em Zh
| MEDLINE | ID: mdl-24791487
4.
Impact of Etch Processes on the Chemistry and Surface States of the Topological Insulator Bi2Se3.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(35): 32144-32150, 2019 Sep 04.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31416305
5.
Schottky Barrier Height of Pd/MoS2 Contact by Large Area Photoemission Spectroscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(44): 38977-38983, 2017 Nov 08.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29035026
6.
Remote Plasma Oxidation and Atomic Layer Etching of MoS2.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(29): 19119-26, 2016 Jul 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27386734
7.
Al2O3 on Black Phosphorus by Atomic Layer Deposition: An in Situ Interface Study.
ACS Appl Mater Interfaces
; 7(23): 13038-43, 2015 Jun 17.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26016806
8.
Realistic metal-graphene contact structures.
ACS Nano
; 8(1): 642-9, 2014 Jan 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24261695
9.
Atomic layer deposition of a high-k dielectric on MoS2 using trimethylaluminum and ozone.
ACS Appl Mater Interfaces
; 6(15): 11834-8, 2014 Aug 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25025335
10.
Silicon interfacial passivation layer chemistry for high-k/InP interfaces.
ACS Appl Mater Interfaces
; 6(10): 7340-5, 2014 May 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24750024