Detalhe da pesquisa
1.
Contact Engineering High-Performance n-Type MoTe2 Transistors.
Nano Lett
; 19(9): 6352-6362, 2019 Sep 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31314531
2.
Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation.
Nat Mater
; 15(11): 1166-1171, 2016 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27571451
3.
Impurity and silicate formation dependence on O3 pulse time and the growth temperature in atomic-layer-deposited La2O3 thin films.
J Chem Phys
; 146(5): 052821, 2017 Feb 07.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28178843
4.
Theoretical Demonstration of the Ionic Barristor.
Nano Lett
; 16(3): 2090-5, 2016 Mar 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26854585
5.
Recombination Kinetics and Effects of Superacid Treatment in Sulfur- and Selenium-Based Transition Metal Dichalcogenides.
Nano Lett
; 16(4): 2786-91, 2016 Apr 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26978038
6.
Covalent Nitrogen Doping and Compressive Strain in MoS2 by Remote N2 Plasma Exposure.
Nano Lett
; 16(9): 5437-43, 2016 09 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27494551
7.
Manganese Doping of Monolayer MoS2: The Substrate Is Critical.
Nano Lett
; 15(10): 6586-91, 2015 Oct 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26349430
8.
The unusual mechanism of partial Fermi level pinning at metal-MoS2 interfaces.
Nano Lett
; 14(4): 1714-20, 2014.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24660782
9.
MoS2 P-type transistors and diodes enabled by high work function MoOx contacts.
Nano Lett
; 14(3): 1337-42, 2014 Mar 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24568656
10.
Hole selective MoOx contact for silicon solar cells.
Nano Lett
; 14(2): 967-71, 2014 Feb 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24397343
11.
Atomically thin heterostructures based on single-layer tungsten diselenide and graphene.
Nano Lett
; 14(12): 6936-41, 2014 Dec 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25383798
12.
Impact of intrinsic atomic defects on the electronic structure of MoS2 monolayers.
Nanotechnology
; 25(37): 375703, 2014 Sep 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25158867
13.
Mechanism of Fermi Level Pinning for Metal Contacts on Molybdenum Dichalcogenide.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(10): 13258-13266, 2024 Mar 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38422472
14.
A density-functional theory study of tip electronic structures in scanning tunneling microscopy.
Nanotechnology
; 24(10): 105201, 2013 Mar 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23416430
15.
Origins of Fermi Level Pinning for Ni and Ag Metal Contacts on Tungsten Dichalcogenides.
ACS Nano
; 17(20): 20353-20365, 2023 Oct 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37788682
16.
Correction to Manganese Doping of Monolayer MoS2: The Substrate Is Critical.
Nano Lett
; 16(3): 2125, 2016 Mar 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26905941
17.
Interface Chemistry and Band Alignment Study of Ni and Ag Contacts on MoS2.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(13): 15802-15810, 2021 Apr 07.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33764063
18.
Morphology-dependent fluorescence of europium-doped cerium oxide nanomaterials.
Nanoscale Adv
; 3(12): 3563-3572, 2021 Jun 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36133706
19.
Giant renormalization of dopant impurity levels in 2D semiconductor MoS2.
Sci Rep
; 10(1): 4938, 2020 Mar 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32188874
20.
Atomic Layer Deposition of Layered Boron Nitride for Large-Area 2D Electronics.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(32): 36688-36694, 2020 Aug 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32667778