Relative influence of surface states and bulk impurities on the electrical properties of Ge nanowires.

Zhang, Shixiong; Hemesath, Eric R; Perea, Daniel E; Wijaya, Edy; Lensch-Falk, Jessica L; Lauhon, Lincoln J

Zhang, Shixiong; Hemesath, Eric R; Perea, Daniel E; Wijaya, Edy; Lensch-Falk, Jessica L; Lauhon, Lincoln J.

Afiliação

Zhang S; Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208, USA.

Nano Lett ; 9(9): 3268-74, 2009 Sep.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19658399

Assuntos

Elétrons; Germânio/química; Nanofios/química; Condutividade Elétrica; Teste de Materiais; Nanotecnologia; Tamanho da Partícula; Fósforo/química; Propriedades de Superfície; Temperatura

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Elétrons / Nanofios / Germânio Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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