Atomic structure of conducting nanofilaments in TiO2 resistive switching memory.

Kwon, Deok-Hwang; Kim, Kyung Min; Jang, Jae Hyuck; Jeon, Jong Myeong; Lee, Min Hwan; Kim, Gun Hwan; Li, Xiang-Shu; Park, Gyeong-Su; Lee, Bora; Han, Seungwu; Kim, Miyoung; Hwang, Cheol Seong

Kwon, Deok-Hwang; Kim, Kyung Min; Jang, Jae Hyuck; Jeon, Jong Myeong; Lee, Min Hwan; Kim, Gun Hwan; Li, Xiang-Shu; Park, Gyeong-Su; Lee, Bora; Han, Seungwu; Kim, Miyoung; Hwang, Cheol Seong.

Afiliação

Kwon DH; Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, Korea.

Nat Nanotechnol ; 5(2): 148-53, 2010 Feb.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20081847

Assuntos

Eletroquímica/métodos; Nanoestruturas/ultraestrutura; Nanotecnologia/métodos; Óxidos/química; Titânio/química; Cristalização; Condutividade Elétrica; Análise de Fourier; Microscopia Eletrônica de Transmissão; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Óxidos / Titânio / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Eletroquímica Idioma: En Revista: Nat Nanotechnol Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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