Optoelectronic memory using two-dimensional materials. | Nano Lett;15(1): 259-65, 2015 Jan 14. | MEDLINE

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Optoelectronic memory using two-dimensional materials.

Lei, Sidong; Wen, Fangfang; Li, Bo; Wang, Qizhong; Huang, Yihan; Gong, Yongji; He, Yongmin; Dong, Pei; Bellah, James; George, Antony; Ge, Liehui; Lou, Jun; Halas, Naomi J; Vajtai, Robert; Ajayan, Pulickel M.

Afiliação

Lei S; Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University , Houston, Texas 77005, United States.

Nano Lett ; 15(1): 259-65, 2015 Jan 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25517502

Palavras-chave

2D image sensor; 2D optoelectronic memory; Cu−In−Se; InSe; MoS2; trapping states

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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