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A CMOS-compatible electronic synapse device based on Cu/SiO2/W programmable metallization cells.
Chen, Wenhao; Fang, Runchen; Balaban, Mehmet B; Yu, Weijie; Gonzalez-Velo, Yago; Barnaby, Hugh J; Kozicki, Michael N.
Afiliação
  • Chen W; School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA.
Nanotechnology ; 27(25): 255202, 2016 Jun 24.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27171505
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos
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