Material insights of HfO2-based integrated 1-transistor-1-resistor resistive random access memory devices processed by batch atomic layer deposition.
Sci Rep
; 6: 28155, 2016 06 17.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-27312225
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
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MEDLINE
Assunto principal:
Óxidos
/
Semicondutores
/
Dispositivos de Armazenamento em Computador
/
Desenho de Equipamento
/
Háfnio
Tipo de estudo:
Clinical_trials
Idioma:
En
Revista:
Sci Rep
Ano de publicação:
2016
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
China