Hydrogenated Amorphous Silicon Germanium Active Layer for Top Cell of a Multi Junction Cell Structure.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(5): 4870-4, 2016 May.
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em En
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| ID: mdl-27483837
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Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Ano de publicação:
2016
Tipo de documento:
Article